進(jìn)口光電探測器HBPR-100M-60K-SI

產(chǎn)品特征：

• 帶寬高達(dá) 500MHz
• 噪聲抑制（CMRR 共模噪聲）高達(dá) 55 dB
• 噪聲極低，NEP 高達(dá) 3.7 pW/√Hz
• Si 和 InGaAs 型號，光譜范圍為 320 至 1700 nm
• 可切換的 20MHz 低通濾波器可*大限度地減少寬帶噪聲
• 高達(dá) 60,000 V/A 的高增益，可分兩級切換
• 輸出信號的可切換耦合（AC/DC）
• 具有 10 MHz 帶寬的快速直流耦合監(jiān)視器輸出
• 輸入自由光束或光纖耦合
• 1.035"-40自由射流輸入螺紋，兼容多種標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)

光譜范圍為 320 至 1000 nm 的型號：
模型                               HBPR-100M-60K-SI-FST                                           HBPR-200M-30K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FC HBPR-200M-30K-SI-FC                                    HBPR-500M-10K-SI-FC
硅PIN光電二極管                       0.8mm直徑 0.8mm直徑 0.4 mm ?，
帶球透鏡的 FC 型號
光譜范圍 320 - 1000納米 320 - 1000納米 320 - 1000納米
帶寬 (?3dB) 直流 - 100MHz 直流 - 200MHz                                                 直流 - 500MHz
跨阻增益（可切換） 2.0x10 4V /A 1.0x10 4V /A 5.0x10 3V /A
6.0x10 4V / A                                                    3.0x10 4V / A 10.0x10 3V / A
轉(zhuǎn)換增益 10.8 x 10 3 V/W 典型值。                                      5.4 x 10 3 V/W 典型值。                    2.55 x 10 3 V/W 典型值。
（可切換） 32.4 x 10 3 V/W 典型值。                                16.2 x 10 3 V/W 典型值。                      5.1 x 10 3 V/W 典型值。
（ @ 850 納米）                                                 （@ 850 納米）                                      （@ 760 納米）
*低NEP ≤ 6.5 pW/√Hz（@850 納米）                              ≤ 7.8 pW/√Hz（@850 納米）          ≤ 12 pW/√Hz（@760 納米）
新經(jīng)濟(jì)政策 (@ 20MHz)                         ≤ 7.4 pW/√Hz（@850 納米） ≤ 8.8 pW/√Hz（@850 納米）               ≤ 13 pW/√Hz（@760 納米）
共模抑制（典型值） 50分貝                                                           45分貝                                                    40分貝
光譜范圍為 800 至 1700 nm 的型號：
模型 HBPR-100M-60K-IN-FST                                          HBPR-200M-30K-IN-FST           HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FC HBPR-200M-30K-IN-FC HBPR-500M-10K-IN-FC
InGaAs PIN光電二極管                                  0.3 mm ?（FS/FST 型號），80 μm ? 球透鏡（FC 型號）
光譜范圍 800 - 1700 nm（FS/FST 型號），900 - 1700 nm（FC 型號）
帶寬 (?3dB) 直流 - 100MHz 直流 - 200MHz 直流 - 450MHz (FS/FST)
直流 - 500MHz (FC)
跨阻增益（可切換）                                                2.0x10 4V /A                                              1.0x10 4V /A 5.0x10 3V /A
6.0x10 4V / A                                            3.0x10 4V / A 1.0x10 4V /A
1550 nm 處的轉(zhuǎn)換增益（可切換）                           19 x 10 3 V/W 典型值。 9.5 x 10 3 V/W 典型值。             4.75 x 10 3 V/W 典型值
57 x 10 3 V/W 典型值。                        28.5 x 10 3 V/W 典型值。             9.5 x 10 3 V/W 典型值
*小 NEP (@ 1550 nm)                                     ≤ 3.7pW/√Hz                                                      ≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.1 pW/√Hz (FC) ≤ 6.7 pW/√Hz (FC)
NEP（@ 20MHz，1550nm） ≤                                 4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.9pW/√Hz
≤ 4.0 pW/√Hz (FC) ≤ 4.4 pW/√Hz (FC)
共模抑制（典型值） 50dB (FS/FST) 45dB (FS/FST)                  35 分貝 (FS/FST)
55分貝（FC） 50分貝（FC）                   45分貝（FC）

以下規(guī)格適用于所有 HBPR 型號：
*大 CW 共模功率 每個光電二極管 10 mW
低通濾波器 全帶寬可切換至 20 MHz（上限頻率）
高通濾波器（交流耦合） 直流耦合可切換為交流（10 Hz 下限頻率）
信號輸出電壓 ±1.0V 到 50Ω 負(fù)載（用于線性增益和低諧波失真），
*大 ±2.0 V 至 50 Ω 負(fù)載
監(jiān)控輸出 跨阻（增益）1000 V/A，帶寬 DC - 10 MHz，
輸出電壓 0 ... +10 V（@ ≥100 kΩ 負(fù)載）
電源電壓/ ±15V (±14.5V … ±16.5V)
電源電流 –90 / +120mA 典型值。
住房 80 x 80 x 30.5 毫米（長 x 寬 x 高）
重量 FC 型號 350 克（0.77 磅），重量 FS/FST 型號 410 克（0.9 磅）
Femto光電探測器主要型號：

HBPR-100M-60K-SI-FST 、HBPR-200M-30K-SI-FST、 HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS、 HBPR-200M-30K-SI-FS 、HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FC、 HBPR-200M-30K-SI-FC、 HBPR-500M-10K-SI-FC

HBPR-100M-60K-IN-FST、 HBPR-200M-30K-IN-FST、 HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FS 、HBPR-200M-30K-IN-FS、 HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FC、 HBPR-200M-30K-IN-FC、 HBPR-500M-10K-IN-FC